采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为8 nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直写高精度的光刻模板。如可用于制作下列器件与结构：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体与左手材料等。

技术指标

SEM分辨率：1.6 nm

最小线宽：12 nm

拼接精度：40 nm

套刻精度：40 nm

样品台：最大4英寸

沉积最小线宽：50nm

刻蚀最小线宽：100nm

最大高压：30KV