面向LED、Powerdevice、MEMS等诸多领域开发，搭载静电吸附系统，采用更大的静电托盘，较常规设备拥有更高的刻蚀速率和更大的产能。同时搭载ULVAC专利的ISM电极及Star电极，有更高的等离子体密度，同时拥有更低的电子温度，有效抑制刻蚀损伤及温升。

产品特性

4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理

搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源

高生产性（比以前提高140%）

为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极

彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件

拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）

丰富的可选机能

产品应用

对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备