在高真空条件下，通过RF高频放电，产生等离子体，在偏压的作用下，通过物理和化学的作用，对特定的材料去除。蚀刻材料：金属，GaN，In P，SiO2，Si ，Polymide 等材料。Load –lock 式，全自动控制，专利ISM电极,均匀性高，安定性好，构造简单，维护简便。

产品特性

4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理

搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源

高生产性（比以前提高140%）

为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极

彻底贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件

拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）

丰富的可选机能

产品应用

对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备