PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。

兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

快速更换不同尺寸晶圆

购置成本低且易于维护

出色的均匀性，高产量和高工艺精度

实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺

电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

应用

III-V族材料刻蚀工艺

固体激光器 InP刻蚀

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

射频器件低损伤 GaN刻蚀

类金刚石 （DLC） 沉积

二氧化硅和石英刻蚀

用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

产品特点

通过均匀的高导通路径连接的腔室，将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时，允许使用较高的气体流量

电极的温度范围宽（-150°C至+ 400°C）

可通过液氮，液体循环制冷机制冷或电阻丝加热  —— 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

循环制冷机单元控制电极温度

出色的衬底温度控制能力

高抽气能力 —— 提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷

保证更好的晶片温度控制