PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。

        PlasmaPro 800具有460mm直径的工作台，拥有处理整片的300mm晶圆或批量43 x 50mm（2”）晶圆的能力， 可提供全套量产解决方案。

高性能工艺

准确的衬底温度控制

准确的工艺控制

成熟的300mm单晶圆失效分析工艺

特征

为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了最大的工艺灵活性，PlasmaPro 800 可提供：

大型下电极 - 低成本

刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳

通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制

可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区

近距离耦合涡轮泵 - 提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件

液体冷却和/或电加热电极 - 出色的电极温度控制和稳定性

应用

使用我们的具有特殊配置的失效分析设备进行干法刻蚀解剖工艺 —— 具有RIE和 PE两种模式

RIE／PE工艺涵盖了从封装好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圆刻蚀

高质量的PECVD 沉积的SiNx和SiO2薄膜 ，适用于光子学、介电层钝化和诸多其它领域

SiO2，SiNx和石英刻蚀

金属和聚酰亚胺有机物刻蚀

用于高亮度LED生产的钝化沉积

III-V族刻蚀工艺